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三星去年底开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。而据DigiTimes最新消息称,三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,并将继续沿用双堆栈架构。
所谓双堆栈架构,即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈,然后在原有基础上再构建另一个堆栈。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度,使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘,或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。
据了解,三星为了保证产量,可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构,层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量,并增加每个3D NAND晶圆的成本。此前三星公布的路线图表明,其第九代V-NAND正在开发中计划于2024年量产。到2030年,三星设想NAND堆叠超1000层,以更好地支持未来的数据密集型技术。